一、全球IGBT竞争格局分析

      当前我国大部分IGBT制造商都在整个功率电子领域展开了竞争。英飞凌、三菱电机、富士电机等大企业在绝缘电压高达3300V的产品方面实力很强。从收益方面来看，600-900V的产品所占市场最大。还有价格的竞争。成本的削减通过改进设计和缩小芯片尺寸来实现。英飞凌的IGBT芯片尺寸从第1代到第5代已缩小了60-70%。最新的FieldStopTrench（场截止沟道）型器件也减小了晶圆厚度。英飞凌准备将晶圆厚度减至50-70μm，甚至40μm。而三菱电机则为在一个芯片上集成更多单元，减小了沟道尺寸。另外，IGBT厂商还将通过把现在的150mm和200mm晶圆增至300mm来削减成本。

      通常的IGBT是利用硅外延片制造的。利用垂直悬浮区熔法制备的NTD（中子嬗变掺杂）硅晶圆越来越多地被用来制造IGBT。由于NTD硅锭的电阻率均一，因此能够实现高性能高压IGBT。切出硅晶片后不需要外延，因此能大幅削减晶圆厚度。这样，一个硅锭可生产出的晶圆数量增加，从而可以削减成本。

2014年全球IGBT行业竞争格局分析

数据来源：中国电子元件行业协会、海博咨询，2015

      二、国内IGBT竞争格局分析

      中国市场主要供应商均是欧美和日本企业，市场占比超过60%，处于绝对主导地位，由于IGBT的重要市场地位，大陆企业逐步提升IGBT的研发和生产力度，率先量产智能IGBT的企业，会超比例受惠巨大市场需求。

2014年中国IGBT行业竞争格局分析

数据来源：中国电子元件行业协会、海博咨询，2015

      上述文章是海博咨询（www.haibo-consulting.com）《2015-2020年全球与中国IGBT行业投资价值及前景预测报告》中的节选内容，此篇报告是在大量周密的市场调研基础上，依据了国家统计局、国家海关总署、国家工商局及行业相关协会等公布和提供的大量资料，对本行业的发展现状、市场各类经营指标等进行详尽的分析，着重对该行业的发展动向做出了深入的判断，最后预判了该行业的盈利空间及发展趋势。我们将以专业质量和优质服务帮助每一位顾客为战略决策者提供了重要参考依据。

      由于网站展示内容有限，若对此行业感兴趣，可直接在线QQ联系我们或拨打我们的咨询热线：13810298322 / 13011242532。